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產品資訊

近日,我公司自主開發的溝槽柵-場終止型1200V 50A  IGBT芯片,在中科院電工所進行了第三方的權威比對檢測。檢測數據顯示,該芯片的電性能特征與德國英飛凌公司主流應用的T系列IGBT芯片的電性能特征相近,整體性能基本持平。

        我公司已經對該芯片的結構申請了相關發明專利。


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